【編號】2024-31

【名稱】氣體擴散和導(dǎo)電性好的PTFE-金屬基底及其制備方法和應(yīng)用

【公開（公告）號】CN118186462A

【公開（公告）日期】2024.06.14

【申請（專利權(quán)）人】中南大學

【摘要】本發(fā)明屬于金屬基底制備技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種氣體擴散和導(dǎo)電性好的PTFE?金屬基底及其制備方法和應(yīng)用，PTFE?金屬基底的結(jié)構(gòu)從下至上依次為PTFE透氣膜層、纖維層和金屬層；所述纖維層呈脈絡(luò)狀設(shè)于所述PTFE透氣膜層的上層，脈絡(luò)狀的所述纖維層形成疏水骨架，所述金屬層鍍在所述PTFE透氣膜層和所述疏水骨架的上層，所述金屬層附在所述疏水骨架上形成金屬骨架；本發(fā)明解決了聚四氟乙烯透氣膜導(dǎo)電性差以及直接采用金屬作為二氧化碳電還原器件中的催化劑會伴隨著嚴重的析氫反應(yīng)，同時沒有空隙將不利于氣體的擴散的問題，適用于PTFE?金屬基底的制備。