【編號】2024-08

【名稱】一種低損耗超薄PTFE微波介質(zhì)基板的制備方法

【公開（公告）號】CN117429141A

【公開（公告）日期】2024.01.23

【申請（專利權(quán)）人】中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所

【摘要】本發(fā)明公開了一種低損耗超薄PTFE微波介質(zhì)基板的制備方法。該方法步驟：1、PTFE復(fù)合膠液的制備；2、玻璃纖維布浸漬；3、片狀基片層壓；采取該制備方法制得的PTFE微波介質(zhì)基板填料顆粒細(xì)小，填充率高，提升了超薄基板厚度和介電常數(shù)均勻性，基板厚度為0.065mm±0.008mm，10GHz下基板介電常數(shù)為2.95±0.03；降低了高頻下的損耗因子，10GHz下基板損耗因子≤0.0011。制備工藝簡便，容易連續(xù)化生產(chǎn)，微波基板性能優(yōu)異，滿足高頻通信領(lǐng)域多層電路板對微波介質(zhì)基板苛刻的性能要求。