【編號】2023-66

【名稱】一種低介電損耗的改性BaTi2O5/PVDF復(fù)合薄膜材料及其制備方法

【公開（公告）號】CN116925481A                                    

【公開（公告）日期】2023.10.24

【申請（專利權(quán)）人】華南理工大學(xué)

【摘要】本發(fā)明公開了一種低介電損耗的改性BaTi₂O₅/PVDF復(fù)合薄膜材料及其制備方法。陶瓷/聚合物材料擁有較大的介電常數(shù)，但通常介電損耗較大，本發(fā)明目的是為了提高復(fù)合材料的介電常數(shù)，同時降低介電損耗。該方法選用高介電常數(shù)的BaTi₂O₅納米線作為填充材料，先利用具有低介電損耗的SiO₂對其表面包覆，再與PVDF基體復(fù)合得到改性BaTi₂O₅/PVDF復(fù)合薄膜。此改性法有效的降低了復(fù)合薄膜的介電損耗。在室溫條件下，本方法制備得到的復(fù)合薄膜材料，1000Hz時測試的介電常數(shù)最大可達到42.22，介電損耗可低至0.09。