【編號(hào)】2022-58

【名稱】一種超低表面粗糙度的高壓電響應(yīng)PVDF超薄膜及其制備方法

【公開（公告）號(hào)】CN114864807A 

【公開（公告）日期】2022.08.05

【申請(qǐng)（專利權(quán)）人】清華大學(xué)

【摘要】本發(fā)明公開了一種超低表面粗糙度的高壓電響應(yīng)PVDF超薄膜及其制備方法，屬于有機(jī)聚合物類超薄膜的制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的PVDF超薄膜的制備方法，包括如下步驟：(1)采用Langmuir–Blodgett單分子沉積技術(shù)制備PVDF薄膜；(2)采用水平Langmuir–Blodgett方法將所述PVDF薄膜轉(zhuǎn)移至表面鍍金屬的硅基片上；(3)將純硅基片覆蓋在步驟(2)得到的薄膜上，進(jìn)行熱壓退火處理，即得到PVDF超薄膜。本發(fā)明的制備方法簡便高效，可制備出具有原子級(jí)平整表面的超薄有機(jī)鐵電薄膜，同時(shí)實(shí)現(xiàn)薄膜厚度的精準(zhǔn)調(diào)控和壓電性能的提高。