【編號】2021-63

【名稱】一種基于PTFE對TMDCs進(jìn)行p型摻雜的方法及半導(dǎo)體

【公開（公告）號】CN113451139A

【公開（公告）日期】2021.09.28

【申請（專利權(quán)）人】復(fù)旦大學(xué)

【摘要】本發(fā)明公開了一種基于PTFE對TMDCs進(jìn)行p型摻雜的方法及半導(dǎo)體，屬于先進(jìn)半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，方法為：將TMDCs材料轉(zhuǎn)移到含氟的超平PTFE基底上，從而構(gòu)建了一種TMDs和PTFE的垂直異質(zhì)界面，該界面對TMDCs具有高效的空穴摻雜調(diào)控，通過測定轉(zhuǎn)移后的TMDCs的光譜結(jié)構(gòu)和熒光壽命，表征其能帶結(jié)構(gòu)的變化，可確定實現(xiàn)對TMDCs的p型摻雜，獲得p型摻雜的TMDCs半導(dǎo)體，從而擴(kuò)展了在光電或電子器件上的應(yīng)用。本發(fā)明實現(xiàn)了在室溫下對二維TMDCs從n型到p型摻雜的轉(zhuǎn)換，調(diào)節(jié)效果長期、穩(wěn)定且適合大規(guī)模生產(chǎn)要求，方法操作簡便，具有單原子層可控?fù)诫s精度，通過含氟化合物的強(qiáng)電負(fù)性效應(yīng)實現(xiàn)對二維TMDCs的空穴摻雜型。