【編號(hào)】2021-18

【名稱】一種低介電常數(shù)低損耗低熱膨脹系數(shù)PTFE基電路基板及其制備方法

【公開（公告）號(hào)】CN112480579A 

【公開（公告）日期】2021.03.12

【申請(qǐng)（專利權(quán)）人】華東理工大學(xué)

【摘要】本發(fā)明涉及一種低介電常數(shù)低損耗低熱膨脹系數(shù)PTFE基電路基板及其制備方法，本發(fā)明的PTFE基電路基板中，其中，PTFE樹脂質(zhì)量占PTFE基電路基板質(zhì)量的80?95%，玻璃纖維質(zhì)量占PTFE基電路基板質(zhì)量的1?10%，中空玻璃微球質(zhì)量占PTFE基電路基板質(zhì)量的1?10%，改性劑的質(zhì)量占無(wú)機(jī)填料(玻璃纖維或中空玻璃微球)質(zhì)量的10?20%。本發(fā)明的制備PTFE基電路基板的方法包括無(wú)機(jī)填料的表面改性步驟和PTFE基電路基板的制備步驟。本發(fā)明的PTFE基電路基板在降低熱膨脹系數(shù)(70ppm/℃)的同時(shí)還可以保證材料優(yōu)異的介電性能(D_k=2.1@10GHz，D_f=0.0001@10GHz)，有望可以廣泛應(yīng)用于電力通訊領(lǐng)域。