【編號(hào)】2015-91
　　【名稱】一種具有β晶相的聚偏氟乙烯納米薄膜的制備方法
　　【公開（公告）號(hào)】CN105037761A
　　【公開（公告）日期】2015.11.11
　　【申請(qǐng)（專利權(quán)）人】電子科技大學(xué)
　　【摘要】本發(fā)明屬于熱釋電薄膜材料領(lǐng)域和太赫茲探測(cè)領(lǐng)域，提供一種具有β晶相的聚偏氟乙烯(PVDF)納米薄膜的制備方法，首先將氧化石墨烯和聚偏氟乙烯溶于有機(jī)溶劑中，超聲并磁力攪拌得到分散均勻的制膜溶液；再將制膜溶液靜置脫泡；再采用旋涂法制備濕膜；最后在大氣環(huán)境下熱處理使薄膜干燥并結(jié)晶，即制備得具有β晶相的聚偏氟乙烯納米薄膜。本發(fā)明一方面通過摻雜GO提高PVDF中β晶相的含量，另一方面采用旋涂工藝制備PVDF納米薄膜；制備工藝簡單易于控制、設(shè)備要求低、成本低廉，能在普通大氣條件下制備，制備的PVDF薄膜均勻、平整、致密性好、熱釋電性能穩(wěn)定，為薄膜材料熱釋電太赫茲探測(cè)器的研制提供有力支持。