【編號】2015-65
　　【題名】介質(zhì)阻擋放電法制備SiO2-聚四氟乙烯荷電功能膜及其電荷穩(wěn)定性的研究
　　【作者】陳澤楚，盧釗浩，陳錦濤等
　　【機構(gòu)】廣東泰寶醫(yī)療科技股份有限公司
　　【刊名】科學(xué)時代（2015年，11期）
　　【文摘】通過加入不同含量的SiO2制備SiO2-聚四氟乙烯復(fù)合膜，并利用介電擊穿極化法為材料充電得到荷電功能膜，分別討論了不同擊穿電壓對材料電位變化的影響、不同溫濕度條件和不同復(fù)合量的材料的電位衰減的關(guān)系、用掃描電子顯微鏡（SEM）觀察了膜表面形貌和使用紅外光譜表征了膜材料的結(jié)構(gòu)。結(jié)果表明：（1）充電樣品的表面電位與電壓基本呈線性關(guān)系增大；（2）復(fù)合了SiO2的聚四氟乙烯膜比不含SiO2的聚四氟乙烯膜充電效率更高，電荷穩(wěn)定性更好；（3）樣品處在高的老化溫度下能相對地減慢電荷的衰減速度；（4）SiO2含量為2%的聚四氟乙烯膜在高濕環(huán)境下也具有相對較好的電荷保持性。