【編  號(hào)】2011-89
　　【題　名】準(zhǔn)分子激光快速誘導(dǎo)聚偏氟乙烯材料導(dǎo)電層的研究
　　【作　者】劉瑩;蔣毅堅(jiān);
　　【機(jī)　構(gòu)】北京工業(yè)大學(xué)激光工程研究院;
　　【刊　名】中國(guó)激光2011(04)
　　【文　摘】采用KrF準(zhǔn)分子激光直寫刻蝕技術(shù)在聚偏氟乙烯(PVDF)材料表面引入刻蝕缺陷,利用刻蝕點(diǎn)缺陷和線缺陷的活性中心作用實(shí)現(xiàn)了聚偏氟乙烯表面導(dǎo)電層的快速制備。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,通過激光刻蝕在該材料表面產(chǎn)生的刻蝕點(diǎn)或刻蝕線均可起到活性中心的作用,輕易地控制導(dǎo)電層的形成,降低了激光改性閾值,低閾值實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)電層快速制備的目的。通過激光掃描共聚焦顯微鏡(LSCM)及掃描電鏡(SEM)觀察,刻蝕缺陷邊緣產(chǎn)生類導(dǎo)電層的二維規(guī)整網(wǎng)絡(luò)微結(jié)構(gòu),為導(dǎo)電層的初期形式。激光刻蝕過程中的激光熱交聯(lián)反應(yīng)及激光輻照交聯(lián)反應(yīng)的交替作用是聚偏氟乙烯導(dǎo)電層快速產(chǎn)生并大面積形成的主要原因。