【編號】2024-72

【題名】高導電性PVDF/MWCNTs-AgNWs@MXene雙層三維網(wǎng)絡的電磁屏蔽復合薄膜的構(gòu)建

【作者】施鷗玲，譚妍妍，武曉等

【機構(gòu)】國家復合改性聚合物材料工程技術研究中心；貴州民族大學

【刊名】復合材料學報（2024年08期）

【文摘】隨著通信網(wǎng)絡、無線設備及航空航天的快速發(fā)展，電磁波危害日益加劇，因而亟需電磁屏蔽性能更優(yōu)異的復合材料。本文采用MXene(Ti₃C₂Tx)、銀納米線(AgNWs)和多壁碳納米管(MWCNTs)構(gòu)建了雙層的高導電三維(導電率最高為 1.4×10⁴ S·m^-1)網(wǎng)絡電磁屏蔽復合薄膜(Ti₃C₂Tx MXene基功能復合薄膜)。特別是采取真空輔助抽濾法(VAF)將 10mL AgNWs及 15mL Ti₃C₂Tx MXene的水溶液吸附于聚偏氟乙烯(PVDF)/MWCNTs復合薄膜之上，制備出的Ti₃C₂Tx MXene基功能復合薄膜的總電磁干擾屏蔽效能(EMI SET)高達69.0dB，比商用標準(20 dB)高出 245%，其中吸收損耗效能(SEA)占比 85.1%。說明Ti₃C₂Tx MXene基功能復合薄膜主要的電磁損耗機制為吸收損耗，比電磁屏蔽效能(SSE/t)最高可達 2719.8dB/(cm^-2·g)。這項工作為新型MXene材料在電磁屏蔽復合材料中的應用提供了結(jié)構(gòu)設計和研究思路。