【編號(hào)】2024-49

【題名】PVDF基儲(chǔ)能電介質(zhì)的設(shè)計(jì)及性能調(diào)控相關(guān)進(jìn)展

【作者】林之鳴，包志偉，李澤錕等

【機(jī)構(gòu)】華東理工大學(xué)；中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)

【刊名】功能高分子學(xué)報(bào)（2024年03期）

【文摘】聚合物基介電電容器因具有擊穿場強(qiáng)高、介電損耗低、自愈性好以及良好的可加工性等優(yōu)勢，成為了電子電力系統(tǒng)中重要的儲(chǔ)能元器件。然而，聚合物的相對介電常數(shù)和放電能量密度較低，極大地限制了聚合物基固態(tài)電容器向小型化方向發(fā)展。因此，提高聚合物相對介電常數(shù)，研發(fā)高放電能量密度和高儲(chǔ)能效率的聚合物基電容器成為了迫切需求。聚偏二氟乙烯(PVDF)以其良好的介電性能和較高的放電能量密度成為研究的熱點(diǎn)。本文從電介質(zhì)的儲(chǔ)能原理出發(fā)，綜述了近年來PVDF基納米復(fù)合電介質(zhì)材料的設(shè)計(jì)及其性能調(diào)控的主要方案：(1)聚合物+無機(jī)高介電納米填料；(2)聚合物+無機(jī)低介電納米填料；(3)聚合物+金屬納米粒子。本文為進(jìn)一步提高聚合物基電介質(zhì)的儲(chǔ)能性能提供了重要參考。