【編號】2021-27

【題名】納米BaTiO₃-SiCw/聚偏氟乙烯三元復(fù)合薄膜的制備及其介電性能

【作者】于婷，許靜，關(guān)曉琳等

【機(jī)構(gòu)】西安建筑科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院；西北師范大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院

【刊名】復(fù)合材料學(xué)報（2021年04期）

【文摘】以15wt％十六烷基三甲基溴化銨改性碳化硅晶須(CTAB-SiCw)和KH550改性納米BaTiO3(BT)為填料，聚偏氟乙烯(PVDF)為成膜物質(zhì)，通過溶液流延法制備了BT-SiCw/PVDF三元復(fù)合薄膜，利用FTIR、XRD、SEM和LCR介電溫譜儀-高溫測試系統(tǒng)聯(lián)用裝置對產(chǎn)物進(jìn)行結(jié)構(gòu)表征和介電性能測試。結(jié)果表明：KH550可以成功改性BT粒子且不會改變BT晶體結(jié)構(gòu)，SiCw和BT能夠較好地分散在PVDF基體中；隨著BT引入量的增加，復(fù)合薄膜的介電常數(shù)先增加后減小，其中當(dāng)引入10wt％BT時介電性能最優(yōu)，即頻率f=500Hz、介電常數(shù)ε_rmax=33、介電損耗tanδ_max=0.154。隨著溫度的升高，該試樣的介電常數(shù)和介電損耗也逐漸增加，并在120℃達(dá)到最大值(f=500Hz、ε_rmax=110、tanδ_max=1.3)。結(jié)果對于研究具有高介電常數(shù)的三元復(fù)合電介質(zhì)材料為在埋入式電容器中獲得應(yīng)用提供了一種策略。