【編號(hào)】2021-26

【題名】聚偏氟乙烯基復(fù)合材料的制備及介電性能

【作者】王繼華，柳軍旺，王春鋒等

【機(jī)構(gòu)】哈爾濱理工大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院；哈爾濱理工大學(xué)電介質(zhì)工程省部共建國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室培育基地

【刊名】復(fù)合材料學(xué)報(bào)（2021年05期）

【文摘】為有效改善聚合物基復(fù)合材料的介電性能，兼顧高介電常數(shù)和低填料量同時(shí)并存，采用以聚偏氟乙烯(PVDF)為基體樹(shù)脂，鈦酸鋇(BT)和石墨烯(GNP)分別為介電填料和導(dǎo)電填料，在BT-GNP/PVDF復(fù)合體系內(nèi)部構(gòu)建微電容器結(jié)構(gòu)。采用溶液法和熱壓法制備GNP/PVDF薄膜和BT-GNP/PVDF復(fù)合薄膜。結(jié)果表明，BT和GNP填料在BT-GNP/PVDF復(fù)合薄膜中能夠均勻分散，在薄膜內(nèi)能形成明顯的微電容器結(jié)構(gòu)。陶瓷填料BT的引入，使微電容器結(jié)構(gòu)更有利于提高BT-GNP/PVDF復(fù)合薄膜的介電常數(shù)。BT含量大于50wt%的BT-GNP/PVDF復(fù)合薄膜介電常數(shù)均不低于GNP/PVDF薄膜。BT含量為50wt％的BT-GNP/PVDF復(fù)合薄膜的介電常數(shù)高于BT含量分別為35wt％、60wt％和70wt％的BT-GNP/PVDF復(fù)合薄膜，最大值約為43，相當(dāng)于GNP含量為0.8wt％的GNP/PVDF薄膜的1.5倍；BT含量為50wt％的BT-GNP/PVDF復(fù)合薄膜損耗角正切均小于其他體系薄膜，最大不超過(guò)0.09，最小約為0.02。BT-GNP/PVDF復(fù)合薄膜的電導(dǎo)率變化趨勢(shì)基本一致，沒(méi)有明顯差異。