【編號】2021-22

【題名】核殼填料Ag^@TiO₂對PTFE基復合材料微波介電性能的調(diào)控特性研究

【作者】鄭金橋，梁飛，戴金航等

【機構(gòu)】中興通訊股份有限公司產(chǎn)學研合作司；華中科技大學光學與電子信息學院

【刊名】電子元件與材料（2021年05期）

【文摘】高介電常數(shù)聚合物基微波介質(zhì)材料同時具有較高的介電常數(shù)與良好的機械性能,擁有廣闊的應用前景。本研究通過溶膠凝膠法在納米銀分散液中將鈦酸四丁酯水解，制備了不同Ag^@TiO₂摩爾比的Ag^@TiO₂核殼顆粒，并作為填料與聚四氟乙烯(PTFE)復合制備出Ag^@TiO₂/PTFE復合材料。通過X射線衍射分析、掃描電鏡形貌分析、EDS分析等測試手段對實驗樣品形貌、組分進行了分析。采用核殼結(jié)構(gòu)制備的Ag^@TiO₂顆粒與PTFE復合后，樣品的介電常數(shù)與損耗隨Ag^@TiO₂填充比例升高而遞增，在填充比例為60%體積分數(shù)下可以制備出介電性能與導熱性能俱佳、與金屬相容性良好的微波介電材料。測試結(jié)果表明，在該比例下樣品同時具有高介電常數(shù)(25.22)、低介電損耗(5.2×10^-3)、較高的熱導率(1.367W/(m?K))和較低的線膨脹系數(shù)(25.6×10^-6/℃)，可以滿足微波無源器件輕量化、小型化的應用需求。