【編號(hào)】2020-56
　　【題名】SiO2表面改性對(duì)高填充SiO2/聚四氟乙烯復(fù)合薄膜性能的影響
　　【作者】周茜，張瑤，陳蓉等
　　【機(jī)構(gòu)】四川大學(xué)高分子材料工程國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
　　【刊名】復(fù)合材料學(xué)報(bào)（2020年09期）
　　【文摘】選用三種具有不同疏水官能團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑，即含苯基的偶聯(lián)劑1(Ph-1)、含氟基的偶聯(lián)劑2(F-2)和含環(huán)氧丙氧基的偶聯(lián)劑3(GP-3)對(duì)SiO2進(jìn)行表面改性，并采用空氣輔助干法共混、冷壓燒結(jié)并車削成膜的方法制備了SiO2填充量為35wt%、厚度為50μm的SiO2/聚四氟乙烯(PTFE)復(fù)合薄膜。改性后SiO2在PTFE中分散均勻。研究了不同含量F-2對(duì)SiO2/PTFE復(fù)合薄膜性能的影響，發(fā)現(xiàn)當(dāng)含氟基的硅烷偶聯(lián)劑F-2用量(與SiO2質(zhì)量比)為0.3%時(shí)，SiO2/PTFE復(fù)合薄膜的針孔缺陷最少，拉伸強(qiáng)度由9.2MPa提高至16.2MPa；在10GHz下，SiO2/PTFE復(fù)合薄膜的介電常數(shù)由2.475降低至2.416，介電損耗由2.66×103降低至2.01×103，SiO2/PTFE復(fù)合薄膜顯示出優(yōu)異的綜合性能。